問題詳情
三、
⑴什麼是複晶矽閘極空乏現象（poly-Si gate depletion）？（10 分）
⑴什麼是複晶矽閘極空乏現象（poly-Si gate depletion）？（10 分）
參考答案
答案：C
難度：適中0.68
統計：A(0),B(6),C(34),D(10),E(0)
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