問題詳情
212. 有關場效應電晶體，下列敘述哪些正確？
(A)場效應電晶體(Field-Effect Transistor)簡稱 FET
(B)利用外加的順向電壓來改變 PN 接面空乏區寬度的大小，以改變通道的寬窄，進而控制流過通道的電流大小
(C)通道中電流是由單一多數載子(電子或電洞)所組成
(D)場效應電晶體又稱為單極性電晶體(Unipolar Transistor)。
(A)場效應電晶體(Field-Effect Transistor)簡稱 FET
(B)利用外加的順向電壓來改變 PN 接面空乏區寬度的大小，以改變通道的寬窄，進而控制流過通道的電流大小
(C)通道中電流是由單一多數載子(電子或電洞)所組成
(D)場效應電晶體又稱為單極性電晶體(Unipolar Transistor)。
參考答案
答案：A,C,D
難度：適中0.666667
統計：A(11),B(2),C(11),D(10),E(0)
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