問題詳情

二、砷化鎵(GaAs)於溫度 T = 300 K 時,其能隙(bandgap) E g = 1.42 eV 、本質載子濃度(intrinsic carrier concentration)ni ,300 K = 2.26 × 10 6 cm − 3;波茲曼常數(Boltzmann’sconstant) k = 8.62 × 10 − 5 eV/K。設升溫至 T = 450 K 時,其 Eg 維持不變,試求砷化鎵在 450 K 之本質載子濃度 ni ,450 K = ?(10 分)

參考答案

答案:C
難度:適中0.551724
統計:A(3),B(11),C(32),D(7),E(0) #
個人:尚未作答書單:遺產稅-信託利益計算規定、遺產及贈與稅繳納期限規定

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