問題詳情
1某FET 工作在飽和區（Saturation Region），其|iD|-vGS 關係如圖所示，|iD|是汲極電流之大小，則此 FET 為： 
(A)增強型 NMOS
(B)增強型 PMOS
(C)空乏型 NMOS
(D)空乏型 PMOS
參考答案
無參考答案
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