問題詳情
⑵雖然 Si3N4 是一種很好的氧化遮罩材料，但在很高溫的蒸氣環境，它仍會氧化形成 SiO2。若因為 Si3N4 的氧化，導致 0.1µm 厚的 SiO2 生成，試問 Si3N4 會消耗多少厚度？（設 Si3N4 包含 1.48×1022 分子/cm3，而 SiO2 包含 2.3×1022 分子/cm3）（10 分）
參考答案
答案：D
難度：非常簡單0.96897
統計：A(54),B(21),C(418),D(15426),E(1)
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