問題詳情
5 有一以矽材料所製的互補式金氧半場效電晶體（Si-CMOSFET）電路及輸入電壓 vI 的波形如下所示，VDD = 5 V，假設兩個電晶體 QP、QN的特性參數一致，即通道導通臨界電壓（threshold voltage）的絕對值均為| Vth | = 0.5 V，相同的轉導值（transconductance）與幾何參數，亦即
。試研判下列波形何者最接近輸出電壓 vO的波形？
(A) 
(B) 
(C) 
(D) 
參考答案
答案：A
難度：適中0.5
統計：A(0),B(0),C(0),D(0),E(0)
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