1. 下列關於半導體偵檢器的敘述何者錯誤？
(A) Si 原子具有 4 個價電子
(B) Ge 的 W 值為 35 eV/離子對
(C)在輻射度量時，加在半導體 n-p 接合處（n-p junction）的偏壓是反向的
(D)在 Ge 晶體中，加入少量有 5 個價電子的 As，生成的半導體為 n 型半導體