問題詳情
38. 下列有關一般MOSFET與BJT功率晶體切換操作之敘述，何者正確？
(A) BJT之飽和電壓較低
(B) BJT可做更高頻之切換控制
(C) MOSFET有較高之閘極輸入阻抗
(D) MOSFET有較大之D、S 端導通電阻
(A) BJT之飽和電壓較低
(B) BJT可做更高頻之切換控制
(C) MOSFET有較高之閘極輸入阻抗
(D) MOSFET有較大之D、S 端導通電阻
參考答案
答案：C
難度：計算中-1
書單：沒有書單，新增
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