問題詳情

24.有關半導體摻雜(doping)的敘述,下列何者錯誤?
(A)摻雜濃度越高的半導體導電性越好
(B)摻雜 3 價的半導體中,自由電子的數量>電洞的數量
(C)摻雜 3 價的元素:硼
(B)、鋁(Al)、鎵(Ga)、銦(In)
(D)摻雜 3 價的受體(Acceptor)後,會形成P 型半導體

參考答案

答案:B
難度:適中0.5
統計:A(0),B(0),C(0),D(0),E(0)

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