10 場效電晶體（FET）之門檻（threshold）電壓 Vth之敘述何者正確？(A)加強型（enhancement）NMOS Vth＜0(B)乏型（depletion）NMOS Vth＞0(C)加

問題詳情

10 場效電晶體（FET）之門檻（threshold）電壓 Vth之敘述何者正確？
(A)加強型（enhancement）NMOS Vth＜0
(B)乏型（depletion）NMOS Vth＞0
(C)加強型（enhancement）PMOS Vth＞0
(D)加強型（enhancement）PMOS Vth＜0

參考答案

答案：D
難度：簡單0.753623
統計：A(3),B(3),C(6),D(52),E(0)

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