問題詳情
38 如圖所示為閘極和源極接在一起的 n 通道空乏型（Depletion mode）MOSFET 電路，其參數值如下：VDD＝5 V，ID＝0.5 mA，Vtn（臨限電壓）＝－2 V，若此電晶體被偏壓在非飽和區工作，則電阻 Rs 至少須為多少？
(A) 6 kΩ
(B) 5 kΩ
(C) 4 kΩ
(D) 3 kΩ
(A) 6 kΩ
(B) 5 kΩ
(C) 4 kΩ
(D) 3 kΩ
參考答案
答案：A
難度：簡單0.727273
統計：A(16),B(2),C(0),D(3),E(0)
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