問題詳情

22 一個增強型 N 通道 MOS 電晶體,其臨限電壓為 Vt,當操作於飽和區時,其汲源間之電壓 VDS最小應為:
(A)VDS = VGS
(B)VDS =Vt
(C)VDS = VGS -Vt
(D)VDS = VGS +Vt

參考答案

答案:C
難度:簡單0.850746
統計:A(2),B(2),C(57),D(4),E(0)

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