24如圖所示 MOSFET 電路，電晶體 M 是增強型（enhancement type）n 通道 MOSFET。已知 VDD = 3 V、 |Vtn|= 0.6 V、k'n(W/L) = 1.0 mA / VID = 0.08 mA、忽略輸出電阻 ro，則此電晶體工作的區域為：
(A)崩潰區(breakdown region）
(B)三極區(triode region）
(C)截止區(cut-off region）
(D)飽和區(saturation region）