問題詳情
12 下列有關雙極性電晶體（BJT）共集極（CC）組態放大器的敘述，何者正確？
(A)電壓增益大於1
(B)電流增益大於1
(C)低輸入電阻
(D)高輸出電阻
(A)電壓增益大於1
(B)電流增益大於1
(C)低輸入電阻
(D)高輸出電阻
參考答案
答案：B
難度：簡單0.8
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- 8 有一矽雙極性接面電晶體（Si-BJT）電路及輸入接腳 的電壓波形如下所示， ，R1 = R2 = 1 kΩ，R3 = R4 = 100 Ω， ，電晶體電流增益 。試研判輸出接腳 在高準位輸出（Vo
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- 4 圖示電路中場效電晶體（FET）之 Vt = −0.7 V，下列電壓何者可使電晶體工作在三極管區（Triode Region）？ (A) (B) (C) (D)
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- 2 一個二極體 pn 接面逆偏時，所存在的主要電容是：(A)空乏電容 (B)擴散電容 (C)耦合電容 (D)旁路電容
- 1 以研究功能密切相關器官之間的關係為主的解剖學稱為：(A)大體解剖學 (B)系統解剖學 (C)局部解剖學 (D)比較解剖學
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- 14 圖示為箝位電路及其輸入信號，其中 D 為理想二極體且 RC 時間常數遠大於輸入信號之週期，決定輸出信號的直流準位為多少伏特？ (A)−15 V(B)−5 V (C)5 V (D)15 V
- 15 電容器及理想二極體所構成之倍壓電路如圖，輸入信號 且電容器 C3於穩定狀態 時所跨電壓 = 30 volt，下列敘述何者正確？ (A) (B) (C) (D)
- 16 如圖所示的兩不同截波電路中，二極體均視為理想且輸入信號均為 vi(t) = 8sin(ωt) volt， ，則輸出 最大值與輸出 最小值之間的電壓差為多少伏特？ (A)4 V (B)6 V (
- 17 如圖所示之電路，假如二極體為理想，求其輸出電壓之平均值為何？ (A)6 V (B)6 V (C)6 V (D)110 V
- 18 如圖所示電路之主要功能為何？ (A)運算 (B)放大 (C)整流 (D)倍壓
- 19 如圖所示之電路， 為一正弦波（DC 值為0 V，振幅= 10 V），假設 = 1 kΩ，求 為何？ (A)10 V(B)20 V(C)30 V (D)40 V
- 20 如圖所示之電路，最高與最低輸出電壓各為何？假設 D1與 D2為理想且 （峰值），R1 = 1 kΩ， 。 (A)正6 V 與負5 V (B)正1 V 與負5 V (C)正4 V 與
- 21 利用「橋式整流電路」做交流全波整流，其輸出波形之峰值大小比起原輸入訊號 Vs 峰值大小：(A)大一個二極體順向啟動電壓 (B)大兩個二極體順向啟動電壓 (C)小一個二極體順向啟動電壓 (D)小兩
- 22 的小訊號交流電源經過橋式整流電路後，其輸出漣波頻率約為：(A)30 Hz (B)60 Hz (C)120 Hz (D)377 Hz
- 23 電路上某 npn 雙極性接面電晶體（BJT）工作在截止區（Cutoff），已知電路之電源電壓 = 10 V， 下列何者正確？ (A) (B) (C) (D)
- 24 如圖所示之放大器電路，假設其直流偏壓電流 （直流偏壓電路未示於圖中） ，電晶體 M 之參數如下： ，且 λ = 0；求此放大器電路之小信號電壓增益之值為何？ (A)−43 (B)−4
- 25 如圖所示之電路，假設電晶體之參數如下： 且 λ = 0；跨在電晶體上之直流電壓 最接近下列何值？ (A)−95 V (B)−75V (C)95 V (D)75 V
- 26 如圖所示之電路，假設電晶體 M1之參數如下： 且 λ1 = 0；電晶體M2之參數如下： 且 λ2 = 0；求 之值為何？ (A)2 V (B)4 V (C)6 V (D)8 V
- 27 如圖所示之放大器電路，電晶體 J 之參數如下： ，求此電路之小信號電壓增益值為何？ (A)0.67 (B)0.77 (C)0.87 (D)0.97
- 28 如圖所示具有射極電阻之共射極放大器，其輸入電阻 RIN 約為何？假設電晶體之 gm 為10 mA/V，β = 100。 (A)10 kΩ (B)20 kΩ (C)30 kΩ (D)40 kΩ
- 29 如圖所示之小訊號模型為一共源極放大器，其等效輸入電容 為何？ (A) (B) (C) (D)
- 30 MOSFET 操作於三極管區（triode region），且汲極與源極跨壓微小時，可等效成下列何種元件？(A)電壓控制之可變電阻 (B)電壓控制之可變電容 (C)電流控制之可變電阻 (D)電流
- 31 設雙極性電晶體（BJT）的 α 值由0.96變化至0.99，則 β 值由多少變為多少？(A)由24變為90 (B)由24變為99 (C)由25變為75 (D)由30變為60
- 32 某雙極性電晶體（BJT）的 為2 μA，其 β 值為50，則其 應為： (A)50 μA (B)70 μA (C)100 μA (D)120 μA
- 33 如圖所示的相移振盪電路中的 ，決定該電路發生等幅振盪時之正弦波頻率約為多少 Hz？ (A)13 kHz (B)21 kHz (C)50 kHz (D)62 kHz
- 34 圖示電路為 CMOS 運算放大器，則下列敘述何者正確？ (A) Q1與 Q2是 AB 類功率放大器 (B) Q3與 Q4提供主動負載 (C) Q5為共閘極放大器 (D) Q6與 Q8提供保護電路
- 35 某電路之轉移函數： ，當頻率遠大於此電路的轉角頻率（Corner Frequency） ，頻率與增益的變化關係，下列何者正確？ (A)頻率每增大十倍，增益減少10 dB (B)頻率每增大十倍，
- 36 如圖所示為一個由五個反相器所構成的環形振盪器（ring oscillator）。若每一個反相器的延遲時間為50 ns， 問環形振盪器的振盪頻率？ (A)318 kHz (B)2 MHz (C)
- 37 如圖為 RC 耦合串級放大器電路的典型接法，試問 RC 耦合會造成什麼影響？ (A)低頻響應變差 (B)中頻響應變差 (C)高頻響應變差 (D)沒有影響
- 38 如圖所示為一 MOS 放大器，MOS 電晶體之 。求小信號增益 vo/vi？ (A)−1 (B)−8 (C)−16 (D)−100