二、圖二為 MOSFET 元件之立體結構，其中L = 0.4 μm，W = 4 μm，閘氧化層 （gate oxide）厚6.9 nm 絕緣介電係數， （dielectric constant）3 .45 × 10 −11 ( F / m)，  電子遷移率（mobility）  450（cm2 /V．s) ，元件切入電壓 0.7 V。
⑴計算 MOSFET 之閘極電容CG 和元件之轉導參數（transconductance parameter）（5 分） 。