問題詳情

一、在熱生長SiO2機制中,SiO2厚度X與生長時間t之關係式為X2+AX=B(t+τ),其中τ為t = 0時初始厚度Xo所需之相對應生長時間,已知A = 0.1 μm,B = 0.01 μm2/hr,Xo = 0.01μm,請求出再生長 2 hr後之總氧化層厚度為多少?(20 分)

參考答案

答案:D
難度:適中0.592173
統計:A(380),B(9),C(7),D(575),E(0)

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