問題詳情

29 若 NMOS 場效電晶體（FET）之汲極源極電壓 VDS＞閘極源極電壓 VGS＞門檻（threshold）電壓 Vth，下列何者正確？
(A)電晶體操作在非飽和區
(B)電晶體操作在飽和區
(C)電晶體截止
(D)電晶體操作在飽和區和非飽和區交界處 

參考答案

答案：B
難度：簡單0.746032
統計：A(8),B(47),C(0),D(2),E(0)

內容推薦

內容推薦