問題詳情

點擊查看答案

內容推薦

• 二、下圖灰色區域顯示一長方形挖走一半圓形所組成的平面，請依據所設定的座標系統，求出此平面的形心位置。（20 分）
• ⑶回饋量為多少 dB？（3 分）
• 96 55 歲男性，近兩週飲食減退並容易疲勞，眼睛結膜有黃疸，請問罹患下列那一種癌症的機率最低？(A)肝細胞癌 (B)總膽管癌 (C)胰臟腺管癌 (D)小腸癌
• ⑶生物素（Biotin）
• ⑵當其中一道光的相位（ φ ）受到調製（φ = 2πt ， t 為時間，單位為秒）時，則干涉條紋產生何種變化？（10 分）
• ⑵當 A、B 間以一 5 歐姆電阻連接時，流過此電阻 之電流為何？（10 分）
• 1 有關自殺的觀念，下列何者錯誤？(A)自殺常不是單一事件引發(B)自殺過的人若沒有死亡，則較不易再自殺(C)自殺防治專業人員必要學習，如何對有困擾的人詢問其自殺想法、意圖、計畫、行為(D)自殺風險可
• 三、有二道 TM 偏振（Polarization）的同調（Coherent）雷射平行光以對稱於觀察平面法線的角度在觀察平面形成一組干涉條紋。⑴當相對於法線之角度為多少時，其干涉條紋之週期達到最
• 1 有關「否認」的因應方式之敘述，下列何者正確？(A) 否認是非常初階的防衛機轉，代表慢性病患者已經有退化的問題 (B)否認的因應方式在面對嚴重疾患的初期可能有助於降低負面情緒，以便發展更有效的因應方
• 五、請說明為什麼從以下集合 S = {1, 2, 3, …, 25}，任意挑出 14 個整數，至少必有一對整數其和為 26？（24 分）

內容推薦

• ⑷若Vs=1V求Vo、Vf與Vi。（3 分）
• ⑵在高的順向偏壓下（VG > 5 V），試繪出電容的能帶圖（energy band diagram）及電荷分佈圖（block charge diagram）。
• 四、⑴有一 LED 的中心波長為 460 nm，其頻寬為 ± 20 nm，則此 LED 輻射之光波之同調長度為何？（10 分）
• ⑸棕櫚酸（Palmitic acid）
• 98 一名三週大足月產、出生體重正常的女嬰，被發現有持續性黃疸且大便顏色變淡呈黏土樣而就醫。肝臟切片檢查發現有膽汁鬱積現象，門脈區域可見膽管增生與纖維化，在增生的膽管內有濃稠的膽 汁存在。下列敘述何者
• 四、一放大器電壓轉換函數為T (s) = 10s/(1+s/10 2 )(1+s/10 5 )，求出零點與極點（4 分），並繪出增益與頻率之關係（2 分），且求出ω=10 與 10 3 rad/s之增
• ⑶在高的逆向偏壓下，試繪出電容的能帶圖及電荷分佈圖。
• ⑵目前的白光 LED 經常是以藍光晶片覆蓋黃色螢光粉而得，現在假設藍光 LED 的波長為 460 nm（為簡化起見，其頻寬小至可忽略），而螢光粉被藍光激發所輻射之黃光之波長為 580 nm（為
• 二、試列舉蛋白質體學（Proteomics）的主要應用範圍。（20 分）
• 99 第三期梅毒的血管病變最常侵犯何處？(A)升主動脈 (B)腹主動脈 (C)上腔靜脈 (D)下腔靜脈
• 五、一個BJT在環境溫度為 25℃時具最大散熱功率PDO為 2W，最大接面溫度為 150℃，求：⑴熱阻為多少？（3 分）
• ⑷試繪出高頻電容電壓圖，並算出圖中的最大與最小電容值。
• 五、問答題：（每小題 5 分，共 15 分）⑴說明液晶板在液晶電視中扮演的角色。
• 三、請分別說明生物能量學中 3 種磷酸化（phosphorylation）作用。（15 分）
• 100 下列疾病或病變何者較不常見於早產兒？(A)顱內出血（intracranial hemorrhage） (B)壞死性小腸結腸炎（necrotizing enterocolitis） (C)玻璃膜
• ⑵ 50℃時可安全散熱之最大功率為多少？（3 分）
• 三、如圖二所示之電路，試算出電路中各元件 所產生或消耗之功率。（20 分）
• ⑵說明雷射光與單色 LED 發射出的光波之二處相異光學特性。
• 四、請繪圖說明流體鑲嵌模型（fluid mosaic model）。（15 分）
• 1 當市場的均衡價格與數量呈反向變動，可能是來自於下列什麼因素的改變造成的？(A)供給線 (B)需求線 (C)供給彈性 (D)需求彈性
• ⑶若於 25℃時散熱功率為 1W，試求接面溫度為多少？（4 分）
• 二、有一光纖之纖核（core）之折射率為 5，而纖覆（cladding）之折射率為 4。⑴求其在空氣中之數值孔徑（Numerical aperture, NA）；（10 分）
• ⑶說明為何汽車尾燈是紅色，而非藍色？
• 五、有些植物細胞可進行脂肪與醣類的互換（如油質種子可將貯藏中的油脂轉變為細胞壁的纖維質），但人體卻只能將醣類轉換成脂肪。請問人體中缺乏那些關鍵酵素（群）？（20 分）
• 四、試證明n型非簡併（non-degenerate）半導體電子濃度分佈n(E)的最大值位於導帶最低能位（Conduction-band minimum）Ec的上方kBT/2。（20 分）