問題詳情
1 對操作於飽和區（Saturation Region）之 n 通道金氧半場效電晶體（N-MOSFET）的敘述，下列何者正確？
(A)汲極電流（Drain Current）, ID , 係正比於汲極源極電壓差VDS
(B)汲極電流（Drain Current）, ID , 係正比於閘極源極電壓差VGS
(C)汲極電流（Drain Current）, ID , 係正比於閘極之寬長比（W/L）
(D)汲極電流（Drain Current）, ID , 係正比於操作溫度T
(A)汲極電流（Drain Current）, ID , 係正比於汲極源極電壓差VDS
(B)汲極電流（Drain Current）, ID , 係正比於閘極源極電壓差VGS
(C)汲極電流（Drain Current）, ID , 係正比於閘極之寬長比（W/L）
(D)汲極電流（Drain Current）, ID , 係正比於操作溫度T
參考答案
答案：C
難度：適中0.625
統計：A(2),B(4),C(15),D(1),E(0)
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