問題詳情
6.有關鍺（Ge）半導體偵檢器與NaI（I的Kα＝28 keV）閃爍偵檢器，量測Cs-137之加馬能譜（光電峰出現在662 keV處），下列敘述何者正確？
(A)回散射（backscatter）峰出現之能量位置均高於康普吞邊緣（Compton edge）
(B)康普吞邊緣（Compton edge）出現之能量位置均相同（478 keV）
(C)因I原子序較Ge大，偵測材料體積相同時，Ge半導體偵檢器量測到的逃逸（escape）峰，將較NaI閃爍偵檢器有較大豐度
(D)因I原子序較Ge大，Ge半導體偵檢器量測到的逃逸（escape）峰，將較NaI閃爍偵檢器之能量低
(A)回散射（backscatter）峰出現之能量位置均高於康普吞邊緣（Compton edge）
(B)康普吞邊緣（Compton edge）出現之能量位置均相同（478 keV）
(C)因I原子序較Ge大，偵測材料體積相同時，Ge半導體偵檢器量測到的逃逸（escape）峰，將較NaI閃爍偵檢器有較大豐度
(D)因I原子序較Ge大，Ge半導體偵檢器量測到的逃逸（escape）峰，將較NaI閃爍偵檢器之能量低
參考答案
答案：B
難度：適中0.5
統計：A(0),B(1),C(1),D(0),E(0)
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