四、圖三所示放大器電路中，MOSFET 電晶體製程參數如下：kn’ = μnCox = 800 μA/V2，kp’ = μpCox = 450 μA/V2，輸出電阻 ro 為 200 kΩ；所有的電晶體尺寸 W/L = 10，IREF = 100 μA。假設 M1 的內部寄生電容 Cgs = 20 f F ，Cgd = 5 f F ，負載電容 CL = 25 f F且 CL 已涵蓋 M2 所引入之所有寄生電容，Rsig = 10 kΩ。
⑴忽略寄生電容，試求放大器之電壓增益 vo / vi =？（10 分）