71. 下列哪些選項符合氮化鎵場效電晶體(GaN FET)的結構與特性？
(A)與矽 MO SFET 相較，其閘極漏電流較小
(B)閘極儲存電荷低
(C)低導通電阻
(D)切換頻率可達 10MH z 以上。