問題詳情

五、利用pseudo-NMOS製作CMOS反相器的技術中,其中電子移動率與氧化層電容乘積μnCox=115 μA/V2,電洞移動率與氧化層電容乘積μpCox=30 μA/V2,NMOS及PMOS元件之臨界電壓分別為 0.4V及-0.4V,並且NMOS與PMOS的閘極寬度與閘極長度的比值各別為(W/L)n=1.5 與(W/L)p=0.64,反相器之等效電容值為 7fF,VDD=2.5V
。⑴靜態消耗功率PD為何?及

參考答案

答案:D
難度:非常簡單0.944405
統計:A(90),B(25),C(120),D(3992),E(0)

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