有關各種N通道場效電晶體偏壓於飽和區(定電流區)工作，下列敘述何者正確？(A) VGS 皆需大於零才可使汲極端流入電流正常操作(ID＞0)(B) VGS 小於零皆可使汲極端流入電流正常操作(ID

問題詳情

1. 有關各種N通道場效電晶體偏壓於飽和區(定電流區)工作，下列敘述何者正確？
(A) VGS 皆需大於零才可使汲極端流入電流正常操作(ID＞0)
(B) VGS 小於零皆可使汲極端流入電流正常操作(ID＞0)
(C) FET內部通道靠近汲極處形成之通道較窄
(D) FET內部通道靠近汲極處形成之空乏區較窄

參考答案

無參考答案

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