10 下圖所示為一個n通道增強型（Enhancement Mode）MOSFET共源極電路，其參數值為：VDD＝5 V，ID＝0.1 mA，R1＝30 kΩ，R2＝20 kΩ，RD＝20 kΩ，VTn（臨限電壓）＝1.5 V，此電晶體被偏壓在下列何種工作區？ 
(A)截止區
(B)飽和區
(C)三極區（Triode Region）
(D)次臨限區（Sub-threshold Region）