問題詳情
35 金氧半場效應電晶體（MOSFET）具有高輸入阻抗，主要原因為：
(A)施加於閘極的逆向偏壓
(B)閘極的氧化層為絕緣體
(C)通道中的空乏區（depletion）缺少可以移動的載子（carrier）
(D)通道中無可自由移動的電荷
(A)施加於閘極的逆向偏壓
(B)閘極的氧化層為絕緣體
(C)通道中的空乏區（depletion）缺少可以移動的載子（carrier）
(D)通道中無可自由移動的電荷
參考答案
答案：B
難度：簡單0.857143
統計：A(2),B(36),C(2),D(0),E(0)
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