問題詳情
三、下圖所示電路中之 NMOS 與 PMOS 電晶體為完全匹配，即kn′ (Wn / Ln)＝k′ p (Wp / Lp)＝1 mA/V2且 Vtn＝-Vtp＝1V，其中k ′ n(k ′p )、Wn (Wp)、Ln (Lp)及 Vtn (Vtp)分別表示NMOS (PMOS)電晶體之製程轉導參數（process transconductance parameter）、通道寬度、通道長度及臨限電壓（threshold voltage）；假設忽略通道長度調變（channellength modulation）效應，試求：
⑴當 vi＝0V 時，iDN、iDP及 vo各為多少？（10 分）
⑴當 vi＝0V 時，iDN、iDP及 vo各為多少？（10 分）
參考答案
答案：D
難度：非常簡單0.943749
統計：A(278),B(285),C(97),D(11090),E(1) #
個人：尚未作答書單：1. 孔子是儒家創始人物、自動學習
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