問題詳情
複選題
69. 對於單接合面場效應電晶體 FET 的測量,下列敘述何者正確?
(A)利用 R×1k 檔,其中一極與其他兩腳呈單向導通時,該腳為 G 極
(B)G、S 極量測導通時,若 G 極為黑棒則 FET 為 P 通道
(C)利用 R×1k檔,G、D 間均具有二極體特性
(D)利用 R×1k 檔,G、S 間均具有二極體特性。
69. 對於單接合面場效應電晶體 FET 的測量,下列敘述何者正確?
(A)利用 R×1k 檔,其中一極與其他兩腳呈單向導通時,該腳為 G 極
(B)G、S 極量測導通時,若 G 極為黑棒則 FET 為 P 通道
(C)利用 R×1k檔,G、D 間均具有二極體特性
(D)利用 R×1k 檔,G、S 間均具有二極體特性。
參考答案
無參考答案
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