問題詳情

42.如何有效降低增強型NMOS電晶體的Threshold Voltage電壓值VT,下列敘述何者正確?
(A)降低基體(Substrate)的濃度(NA)
(B)降低源極(Source)區域的濃度(ND)
(C)降低汲極(Drain)區域的濃度(ND)
(D)降低閘極(Gate)區域的 phpubZ3ZT.png :矽氧化層的permittivity; phpYBZN7g.png :矽氧化層厚度)

參考答案

答案:A
難度:適中0.5
統計:A(2),B(2),C(0),D(0),E(0)

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