問題詳情

⑵在金屬-氧化層-半導體所形成的空乏型(depletion-mode)金氧半場效應電晶體(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)中,若半導體為n 型,它的臨界電壓是正值或負值?請說明理由。(10 分)

參考答案

答案:B
難度:非常簡單0.935921
統計:A(20),B(1037),C(31),D(16),E(0)

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