問題詳情

四、有兩個金氧半(MOS)元件除氧化層厚度不同外特性相同,高頻電容-電壓量測產生之電容最大值與最小值之比值為 4 與 2,根據這些數據,計算氧化層厚度比。矽介電常數 εs為 11.9εo,氧化層介電常數 εox為 3.9εo,真空之介電常數為 εo。(20 分)

參考答案

答案:D
難度:非常簡單0.926686
統計:A(19),B(296),C(135),D(5688),E(0) #
個人:尚未作答書單:時節/節氣比較、名人與知己(物)之配對

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