問題詳情

38.有關 PN 接面的半導體敘述,下列何者錯誤? P 型半導體的濃度高於
(A)N 型半導體的濃度時,其P 型側的空乏區寬度較寬
(B)PN 接面的空乏區內P 型側內含有負離子
(C)在逆向偏壓下,PN 接面會形成一空乏電容,其大小與偏壓成反比
(D) PN 接合時,所產生的空乏區將抑制擴散電流

參考答案

答案:A
難度:非常困難0
統計:A(0),B(1),C(0),D(0),E(0)

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