問題詳情

三、圖三所示電路中,NMOS 場效電晶體之Vt = 2 V, 2 μ nCox = 20 μA/V2 ,L = 10 μm 與W = 400 μm,試求可使 NMOS 場效電晶體操作於I D = 0.576 mA及VD = +1V下之Rs與RD 電阻值。(通道長度調變效應可予忽略)(20 分)

參考答案

答案:D
難度:非常簡單0.939394
統計:A(9),B(5),C(13),D(620),E(0)

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