一、圖一為類似 NMOS（Pseudo NMOS）邏輯電路，已知 VDD = 2.5 V，當 vI = vH 時，Q2（NMOS）的 VDS2 = 0.2 V，且此電路最大消耗功率為 PDD = 0.20 mW；Q1（PMOS）  的 互 導 參 數 （ transconductance parameter ） ， 臨 界 電 壓 （ thresholdV voltage）VTP = −0.6 V；Q2（NMOS）的互導參數  ，臨界電壓 VTN = 0.6 V： 
 
⑴試求 IDD =？（5 分）