問題詳情

五、計算一理想 MOS 電容的臨限電壓(threshold voltage)VT。MOS 的結構為金屬-氧化層-p 型矽半導體,設金屬的功函數 qΦm = 4.1 eV,p 型矽半導體的濃度為 Na = 3 × 1016  cm −3  ,矽的電子親和力(electron affinity)qX = 4.05 eV,矽的能隙寬 Eg = 1.12 eV,價電帶  電洞的有效狀態密度 Nv = 1.04 × 1019 cm-3 ,氧化層的厚度 tox = 600 Å,氧化層的介電 係數  = 3.9 × 8.85 × 10-14 F/cm,矽的介電係數  = 11.7 × 8.85 × 10 -14F/cm,熱電壓Vt = kT/q = 0.0259 V。(20 分)

參考答案

答案:B
難度:簡單0.854746
統計:A(104),B(2089),C(154),D(97),E(0) #
個人:尚未作答書單:責任能力

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